<テクニカルレポート>
太陽電池用多結晶シリコン育成時における転位密度・残留歪の数値解析および実験的評価
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概要 | 転位は、太陽電池用多結晶シリコンにとって、変換効率を低下させる要因の1 つである。また、残留応力は、結晶育成中やダイヤモンドソーなどによる切断時の破砕の原因である。よって、高効率な太陽電池を作製するためには、転位密度および残留応力を制御することが大変重要である。しかし、結晶成長中および冷却中に、転位がどのように増加しているかということは未だ明らかになっていない。このため、数値計算を用いて転位の増加...について解析することは重要である。本稿では、転位密度および残留歪の3 次元数値解析を行い、実験結果と比較することによって、数値解析の妥当性について検討した。続きを見る |
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登録日 | 2018.05.16 |
更新日 | 2018.05.21 |