異なる基板を用いた場合におけるGaN単結晶の転位密度・残留応力の数値解析 - 九大コレクション

＜テクニカルレポート＞
異なる基板を用いた場合におけるGaN単結晶の転位密度・残留応力の数値解析

作成者	作成者名中野, 智 Nakano, Satoshi ナカノ, サトシ所属機関所属機関名九州大学応用力学研究所 Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University
本文言語	日本語
出版者	九州大学応用力学研究所
出版者	Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University
発行日	2016-10
収録物名	九州大学応用力学研究所技術職員技術レポート
巻	17
開始ページ	1
終了ページ	7
出版タイプ	Version of Record
アクセス権	restricted access
権利関係	著作権処理未完了のため本文ファイル非公開
権利関係	Public access to the fulltext file is restricted by copyright reason