Improvement of Breakdown Characteristics of the Gate Oxynitride Using N_20 - 九大コレクション | 九州大学附属図書館

＜紀要論文＞
Improvement of Breakdown Characteristics of the Gate Oxynitride Using N_20

作成者	作成者名 Ikeda, Akihiro 池田, 晃裕イケダ, アキヒロ所属機関所属機関名 Department of Electronic Device Engineering, Kyushu University : Graduate Student 九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻 : 院生
	作成者名 Fujiki, Chika フジキ, チカ所属機関所属機関名 Department of Electronic Device Engineering, Kyushu University : Graduate Student
	作成者名 Kuroki, Yukinori クロキ, ユキノリ所属機関所属機関名 Department of Electronic Device Engineering, Kyushu University
本文言語	英語
出版者	九州大学大学院システム情報科学研究院
出版者	Faculty of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University
発行日	1998-06-05
収録物名	九州大学大学院システム情報科学紀要
巻	3
号	2
開始ページ	179
終了ページ	184
出版タイプ	Version of Record
アクセス権	open access
JaLC DOI	https://doi.org/10.15017/1498354
関連DOI	https://portal.isee.kyushu-u.ac.jp/
関連URI	https://portal.isee.kyushu-u.ac.jp/
関連情報	https://portal.isee.kyushu-u.ac.jp/
概要	Charge trapping and dielectric breakdown (Qbd) properties of rapidly thermal gate oxynitrided (RTON) films have been studied using N20. The gate voltage shift (AVG) has been used to characterize the c...harge trapping properties under Fowler-Nordheim electron injection from Si substrate. It is found that RTON with N20 can reduce AVG resulting from the reduction of trapped electrons. Oxynitridation characteristics in N20 is also discussed. Oxynitridation characteristics can not be explained as classical Deal-Grove model. Deal-Drove model is modified to fit theoretical curve to experimental data.続きを見る

本文ファイル

ファイル	ファイルタイプ	サイズ	閲覧回数	説明
p179	pdf	528 KB	161

詳細

PISSN	1342-3819
EISSN	2188-0891
NCID	AN10569524
レコードID	1498354
査読有無	査読有
主題	N_20 Oxynitridation
	RTO
	Modified Deal-Grove Model
	TDDB
	Charge trapping
登録日	2015.04.14
更新日	2020.11.02