<紀要論文>
擬1次元化合物KFe(S_<1-x>Se_x)_2におけるトンネル伝導

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概要 The nonmetallic behavior in the resistivity of KFeS_2 is thought to be dominated by tunneling process between the metallic domains. Two theoretical models are examined: "activated tunneling" and "fluc...tuation induced tunneling" respectively developed by Abeles et al. and by Sheng. Both theories explain the temperature dependence of the resistivity in a wide temperature range. However, the dependence on the applied electric field is satisfactorily explained only by the latter model. Selenium substitution for sulfur sites brings effectively a reduction of height and width of the barrier potential at the domain boundary.続きを見る

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登録日 2015.02.26
更新日 2020.11.02

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