<会議発表論文>
シリコンパワーデバイスの技術動向
| 作成者 | |
|---|---|
| 本文言語 | |
| 出版者 | |
| 発行日 | |
| 収録物名 | |
| 会議情報 | |
| 出版タイプ | |
| アクセス権 | |
| 関連DOI | |
| 関連URI | |
| 概要 | カーボンニュートラルに向けて、電力の有効利用は重要項目の一つであり、そこに使用されるパワーデバイスの重要性も高まり続けている。SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスが実用化され、その市場は急激に成長しつつも、2030年においても、シリコンパワーデバイスが主役であり続けることが予測されている。本講演では、シリコンパワーデバイスの最近の技術動向について紹介する。 |
詳細
| EISSN | |
|---|---|
| レコードID | |
| 関連URI | |
| 主題 | |
| 注記 | |
| 登録日 | 2025.02.05 |
| 更新日 | 2025.04.15 |
Mendeley出力