<博士論文>
横磁場印加チョクラルスキー法を用いた結晶径300 mm シリコン単結晶成長プロセスにおける熱・物質輸送現象の解明
作成者 | |
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本文ファイル
ファイル | ファイルタイプ | サイズ | 閲覧回数 | 説明 |
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7.95 MB | 2,824 | 本文 | |
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180 KB | 557 | 要旨 | |
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286 KB | 328 | 審査結果要旨 |
詳細
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登録日 | 2019.11.07 |
更新日 | 2021.03.15 |