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＜technical report＞
Siウェハライフタイム測定条件の最適化
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| Abstract | 半導体デバイスの特性と製造工程におけるSi ウェハの性質を包括的に評価する指標として、少数キャリアライフタイムが挙げられる。ライフタイムを正しく評価するためには、表面再結合を抑制し、バルクライフタイムの測定手法を確立する必要がある。本報告では、キンヒドロン-メタノール溶液によるパッシベーションを施したSi ウェハのライフタイムを測定し、溶液の組成等がライフタイムに与える影響を考察することで、測定条...件の最適化を試みた。show more |
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| File | FileType | Size | Views | Description |
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03_p008
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1.00 MB | 2,805 |
Details
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| Record ID | |
| Subject Terms | |
| Created Date | 2021.07.16 |
| Modified Date | 2021.07.16 |