Dielectric Planarization using Mn2O3 Slurry - 九大コレクション

＜会議発表論文＞
Dielectric Planarization using Mn2O3 Slurry

作成者	作成者名 Kishii, Sadahiro 岸井, 貞浩キシイ, サダヒロ所属機関所属機関名 Fujitsu Laboratories Limited 富士通研究所
	作成者名 Nakamura, Ko 中村, 亘ナカムラ, コウ所属機関所属機関名 Fujitsu Laboratories Limited 富士通研究所
	作成者名 Arimoto, Yoshihiro 有本, 由弘アリモト, ヨシヒロ所属機関所属機関名 Fujitsu Laboratories Limited 富士通研究所
本文言語	英語
出版者	IEEE
出版者	JSAP
発行日	1997-06
収録物名	Technical Digest : 1997 Symposium on VLSI Techonology
開始ページ	27
終了ページ	28
出版タイプ	Accepted Manuscript
アクセス権	open access
権利関係	(c) IEEE.
関連DOI	以下と同一 https://doi.org/10.1109/VLSIT.1997.623678
関連DOI	Technical Digest : 1997 Symposium on VLSI Techonology \|\| 1997 \|\| p27-28
関連URI	Technical Digest : 1997 Symposium on VLSI Techonology \|\| 1997 \|\| p27-28
関連URI
関連HDL
関連情報	Technical Digest : 1997 Symposium on VLSI Techonology \|\| 1997 \|\| p27-28
概要	We have developed an Mn2O3 slurry for dielectric planarization for the first time. Our Mn2O3 slurry has 4 times the removal rate of conventional slurry. The removal rate for this slurry remains consta...nt for between l wt% and 10 wt% solid concentration. Pad-conditioning-free polish was successfully realized. We demonstrated that this slurry is reproducible.続きを見る

ファイル	ファイルタイプ	サイズ	閲覧回数	説明
003	pdf	286 KB	509