Thermodynamic analysis of (0001) and (0001^^¯) GaN metalorganic vapor phase epitaxy - 九大コレクション | 九州大学附属図書館

＜学術雑誌論文＞
Thermodynamic analysis of (0001) and (0001^^¯) GaN metalorganic vapor phase epitaxy

作成者	著者識別子 100022573 作成者名 Kusaba, Akira 草場, 彰クサバ, アキラ所属機関所属機関名 Department of Aeronautics and Astronautics, Kyushu University 九州大学大学院航空宇宙工学部門
	著者識別子 100022566 作成者名 Kangawa, Yoshihiro 寒川, 義裕カンガワ, ヨシヒロ所属機関所属機関名 Department of Aeronautics and Astronautics, Kyushu University 九州大学大学院航空宇宙工学部門所属機関所属機関名 Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University 九州大学応用力学研究所所属機関所属機関名 Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University 名古屋大学未来材料・システム研究所
	作成者名 Kempisty, Pawel 所属機関所属機関名 Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University 名古屋大学未来材料・システム研究所所属機関所属機関名 Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences
	作成者名 Valencia, Hubert 所属機関所属機関名 Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University 名古屋大学未来材料・システム研究所
	著者識別子 20334039 作成者名 Shiraishi, Kenji 白石, 賢二シライシ, ケンジ所属機関所属機関名 Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University 名古屋大学未来材料・システム研究所
	著者識別子 20313306 作成者名 Kumagai, Yoshinao 熊谷, 義直クマギ, ヨシナオ所属機関所属機関名 Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology 東京農工大学
	著者識別子 90291509 作成者名 Kakimoto, Koichi 柿本, 浩一カキモト, コウイチ所属機関所属機関名 Department of Aeronautics and Astronautics, Kyushu University 九州大学大学院航空宇宙工学部門所属機関所属機関名 Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University 九州大学応用力学研究所
	著者識別子 10111626 作成者名 Koukitu, Akinori 纐纈, 明伯コウキク, アキノリ所属機関所属機関名 Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology 東京農工大学
本文言語	英語
出版者	IOP Publishing
発行日	2017-06-08
収録物名	Japanese Journal of Applied Physics
巻	56
号	7
開始ページ	070304
出版タイプ	Accepted Manuscript
アクセス権	open access
関連DOI	以下の異版 https://doi.org/10.7567/JJAP.56.070304
概要	We performed a thermodynamic analysis of GaN metalorganic vapor phase epitaxy considering the (0001) and (0001^^¯) surface states. Surface reconstruction, which depends on growth conditions such as te...mperature and partial pressure, affects growth processes. To discuss the effects of surface states on growth processes, we investigated the driving force of precursor deposition to form the surface phase defined stoichiometrically. In both N2 and H2 carrier gas cases, we showed surface phase diagrams, calculated driving forces, and discussed the difference in growth orientation.続きを見る

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ファイル	ファイルタイプ	サイズ	閲覧回数	説明
7183509	pdf	972 KB	115

詳細

PISSN	0021-4922
EISSN	1347-4065
NCID	BA0379242X
レコードID	7183509
タイプ	Rapid Communications
助成情報	助成機関名 Japan Society for the Promotion of Science 日本学術振興会研究課題番号 JP16J04128 研究課題名耐放射線性を有す高効率太陽電池および低損失電力変換素子用材料の開発
	助成機関名 Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Techonology-Japan 文部科学省
	助成機関名 Japan Science and Technology Agency 国立研究開発法人科学技術振興機構研究課題番号 16813791B
	助成機関名 Horizon 2020 研究課題番号 720527
	助成機関名 Japan Society for the Promotion of Science 日本学術振興会研究課題番号 JP16H06418 研究課題名 Computational materials design for hetero-bond manipulation 計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計
登録日	2024.07.18
更新日	2024.07.18