65nmプレナーバルク型SRAMのミューオン及び陽子誘起シングルイベントアップセット現象に関する研究 - 九大コレクション

＜博士論文＞
65nmプレナーバルク型SRAMのミューオン及び陽子誘起シングルイベントアップセット現象に関する研究

	Study of Single Event Upset Phenomena Induced by Muons and Protons in 65-nm Planar Bulk SRAMs
作成者	作成者姓名鄧, 亦凡 DENG, YIFAN デン, イファン
論文調査委員	渡辺, 幸信
	榊, 泰直
	橋本, 昌宜
本文言語	英語
学位授与年度	2023
学位授与大学	九州大学
学位授与大学	Kyushu University
学位	博士（工学）
学位種別	課程博士
出版タイプ	Version of Record
アクセス権	open access

ファイル	ファイルタイプ	利用条件	サイズ	閲覧回数	説明
tj1318	pdf	なし	6.40 MB	268	本文
tj1318_abstract	pdf	なし	365 KB	60	要旨
tj1318_review	pdf	なし	71.2 KB	59	審査結果要旨