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＜紀要論文＞
水素イオン照射によるタングステンの損傷組織変化と水素挙動
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| 概要 | 多量の水素照射環境下に曝される核融合炉プラズマ対向材料における照射欠陥と水素の挙動を解明することを目的として，水素イオン照射によるタングステンの損傷組織の電子顕微鏡観察と，昇温脱離実験による水素放出特性の比較を行った．損傷組織はイオンエネルギーに強く依存し，弾き出し損傷が十分に起こる4keV以上のエネルギー領域では転位ループが形成されるのに対して弾き出し損傷が皆無である2keV以下のエネルギー領域...では損傷組織が形成されない．一方，水素の吸蔵量や放出現象はイオンエネルギーにほとんど依存しない．このことから，照射欠陥と水素の相互作用は弱く，タングステンにおいて照射欠陥は水素吸蔵に大きな役割は果たしていないことが明らかになった．続きを見る |
| 目次 | 1. 緒言 2. 実験方法 2. 1 試料 2. 2 透過型電子顕微鏡による損傷組織変化のその場観察 2. 3 昇温脱離実験 3. 実験結果と考察 3. 1 電子顕微鏡による損傷組織観察 3. 2 重水素の昇温脱離 4. まとめ |
詳細
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| 登録日 | 2022.01.18 |
| 更新日 | 2023.03.04 |