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＜紀要論文＞
Ni-Si合金における照射誘起現象
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| 概要 | Ni-Si合金を用いて超高圧電子顕微鏡による電子線照射を行ない欠陥集合体の形成，特に照射によるSi元素の偏析とγ'析出物の動的過程を追求した．Ni-5.8at%Siの固溶合金を照射した場合，照射誘起によるγ'析出物の発生は認められたがその大きさは微細であった．特に400℃では格子間原子型・転位ループの積層欠陥の瞬間的な解消が新たな転位ループの発生に寄与し，転位密度が増大した．一方，γ'析出物を含む...Ni-12.6at%Si合金では照射誘起による表面析出と析出物の再固溶現象が同時に観察された．また，再固溶過程の深さ依存性が示され，これは格子間原子一溶質複合体のシンクヘの移動で説明された． 一方，これら特徴的な組織変化，偏析及び析出挙動の基本機構を知る上で必要な点欠陥の移動特性を電子線低温照射試料の回復現象から求めた．続きを見る |
| 目次 | 1. 序論 2. 実験方法 2.1 Ni-Si合金の作製 2.2 超高圧電子顕微鏡による照射実験 2.3 点欠陥の移動度測定 3. 実験結果 3.1 Ni-Si合金における照射誘起現象 3.2 γ'析出物の再固溶現象 3.3 電気抵抗及び陽電子消滅の寿命測定結果 4. 考察 4.1 モデル計算 4.2 析出物寸法変化の深さ依存性 5. まとめ続きを見る |
詳細
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| 登録日 | 2022.01.18 |
| 更新日 | 2023.03.04 |