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＜紀要論文＞
keV水素イオン照射による表面損傷と水素吸蔵
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| 概要 | 高純度モリブデン，タングステン，鉄及び316ステンレス鋼を1から5keVの水素イオンで照射し，損傷組織の形成過程を透過電顕法により調べた．何れの物質においても，水素イオンの侵入する試料表面直下に，水素原子と照射欠陥の相互作用により，それらの二次的な複合体が高密度に形成される．即ち，まず10^16 ions/cm2程度の照射で板状の水素集合体が発生・成長する．照射量の増加に伴い，水素との反応により格...子間原子型転位ループが形成されると共に空孔の蓄積が顕著となる．さらに照射量が10^16 ions/cm2を越えると，空孔の非熱活性的な運動によって水素バブルが発生する．この欠陥蓄積過程に関する実験結果を反応速度論をもとに解析することによって，侵入水素イオンのトラップとして原子空孔，水素の板状集合体及びバルブが特に重要であることが明らかとなった．続きを見る |
| 目次 | 1. 序論 2. 実験方法 3. 実験結果 4. 考察 5. 結論 |
詳細
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| 登録日 | 2022.01.18 |
| 更新日 | 2023.03.04 |