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<図書>
基礎から学ぶ半導体電子デバイス
キソ カラ マナブ ハンドウタイ デンシ デバイス

責任表示 大谷直毅著
データ種別 図書
出版情報 東京 : 森北出版 , 2019.10
本文言語 日本語
大きさ ix, 177p ; 22cm
概要 「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。
目次 半導体の基礎
半導体中のキャリア密度
半導体中のキャリア輸送現象
pn接合ダイオード
金属と半導体の接合による整流特性
バイポーラトランジスタ
接合型電界効果トランジスタ
MOSダイオード
MOSFET
MOS集積回路
MESFET
付録A エネルギーバンド構造について
付録B 状態密度の計算方法
付録C 有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体
付録D 価電子帯のエネルギーと正孔の概念
付録E ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子
付録F ショットキー接合の電流‐電圧特性
付録G バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足
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所蔵情報



理系図2F 開架 549.8 /O 84 2019
130012019016556


筑紫図 1D 450-599 549.8/O 84 2019
160012019003718

書誌詳細

別書名 標題紙タイトル:Introduction to semiconductor electronic devices
異なりアクセスタイトル:半導体電子デバイス : 基礎から学ぶ
著者標目 大谷, 直毅 <オオタニ, ナオキ>
件 名 BSH:半導体
BSH:集積回路
分 類 NDC8:549.8
NDC9:549.8
NDC10:549.8
NDLC:ND371
書誌ID 1001685824
ISBN 9784627776210
NCID BB29041816
巻冊次 ISBN:9784627776210 ; PRICE:2500円+税
NBN JP23287926
登録日 2019.12.02
更新日 2020.01.29