<図書>
基礎から学ぶ半導体電子デバイス
キソ カラ マナブ ハンドウタイ デンシ デバイス
| 責任表示 | 大谷直毅著 |
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| データ種別 | 図書 |
| 出版情報 | 東京 : 森北出版 , 2019.10 |
| 本文言語 | 日本語 |
| 大きさ | ix, 177p ; 22cm |
| 概要 | 「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。 |
| 目次 | 半導体の基礎 半導体中のキャリア密度 半導体中のキャリア輸送現象 pn接合ダイオード 金属と半導体の接合による整流特性 バイポーラトランジスタ 接合型電界効果トランジスタ MOSダイオード MOSFET MOS集積回路 MESFET 付録A エネルギーバンド構造について 付録B 状態密度の計算方法 付録C 有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体 付録D 価電子帯のエネルギーと正孔の概念 付録E ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子 付録F ショットキー接合の電流‐電圧特性 付録G バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足続きを見る |
所蔵情報
| 状態 | 巻次 | 所蔵場所 | 請求記号 | 刷年 | 文庫名称 | 資料番号 | コメント | 予約・取寄 | 複写申込 | 自動書庫 |
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理系図2F 開架 | 549.8 /O 84 | 2019 |
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130012019016556 |
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筑紫図 1D 450-599 | 549.8/O 84 | 2019 |
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160012019003718 |
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書誌詳細
| 別書名 | 標題紙タイトル:Introduction to semiconductor electronic devices 異なりアクセスタイトル:半導体電子デバイス : 基礎から学ぶ |
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| 著者標目 | 大谷, 直毅 <オオタニ, ナオキ> |
| 件 名 | BSH:半導体 BSH:集積回路 |
| 分 類 | NDC8:549.8 NDC9:549.8 NDC10:549.8 NDLC:ND371 |
| 書誌ID | 1001685824 |
| ISBN | 9784627776210 |
| NCID | BB29041816 |
| 巻冊次 | ISBN:9784627776210 ; PRICE:2500円+税 |
| NBN | JP23287926 |
| 登録日 | 2019.12.02 |
| 更新日 | 2020.01.29 |
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