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＜図書＞
集積ナノデバイス
シュウセキ ナノデバイス
| 責任表示 | 平本俊郎編著 ; 内田建, 杉井信之, 竹内潔著 |
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| シリーズ | 半導体デバイスシリーズ / 權田俊一, 谷口研二編集 ; 1 |
| データ種別 | 図書 |
| 出版情報 | 東京 : 丸善 , 2009.11 |
| 本文言語 | 日本語 |
| 大きさ | xvii, 227p ; 21cm |
| 概要 | 変革期を迎えるVLSI技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第1巻。ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。 |
| 目次 | 1 序論(スケーリング則とムーアの法則 集積ナノデバイスの諸問題 ほか) 2 MOSトランジスタの基礎(MOSトランジスタの構造と動作 MOSトランジスタの1次近似モデル ほか) 3 微細トランジスタの性能向上(極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ 移動度向上技術(ひずみSi、新チャネル材料)) 4 微細化・集積化にともなう諸問題(スケーリングによる微細化とその課題 微細MOSFETの信頼性 ほか) 5 将来展望(将来に向けての技術動向 集積ナノデバイスマップ ほか) |
| 電子版へのリンク | https://hdl.handle.net/2324/6915752 |
所蔵情報
| 状態 | 巻次 | 所蔵場所 | 請求記号 | 刷年 | 文庫名称 | 資料番号 | コメント | 予約・取寄 | 複写申込 | 自動書庫 |
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理系図2F 開架 | 549.8/H 65 | 2009 |
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031112010000756 |
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書誌詳細
| 一般注記 | 文献: 章末 |
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| 著者標目 | 平本, 俊郎(1960-) <ヒラモト, トシロウ> 内田, 建 <ウチダ, ケン> 杉井, 信之 <スギイ, ノブユキ> 竹内, 潔(1961-) <タケウチ, キヨシ> |
| 件 名 | BSH:半導体 BSH:集積回路 BSH:ナノテクノロジー |
| 分 類 | NDC8:549.8 NDC9:549.8 |
| 書誌ID | 1001423010 |
| ISBN | 9784621082089 |
| NCID | BB00432152 |
| 巻冊次 | ISBN:9784621082089 |
| 登録日 | 2010.06.14 |
| 更新日 | 2017.02.18 |