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<図書>
Terrestrial neutron-induced soft errors in advanced memory devices

責任表示 Takashi Nakamura ...[et al.]
データ種別 図書
出版情報 New Jersey : World Scientific , c2008
本文言語 英語
大きさ xxii, 343 p. : ill.(some col.) ; 24 cm
概要 Terrestrial neutron-induced soft errors in semiconductor memory devices are currently a major concern in reliability issues. Understanding the mechanism and quantifying soft-error rates are primarily ...rucial for the design and quality assurance of semiconductor memory devices.続きを見る
目次 Introduction
Terrestrial neutron spectrometry and dosimetry
Irradiation testing in the terrestrial field
Neutron irradiation test facilities
Review and discussion of experimental data
Monte Carlo simulation methods
Simulation results and their implications
International standardization of the neutron test method
Summary and challenges.

所蔵情報



理系図2F 開架 548.23/N 37 2008
031212015502192


筑紫図 1D 450-599 548.23/N 37 2008
060212013001293


総理工 研究室 548.23/N 37 2008
062212008000031

書誌詳細

一般注記 Includes bibliographical references and index
著者標目 Nakamura, Takashi
Baba, Mamoru
Ibe, Eishi
Yahagi, Yasuo
Kameyama, Hideaki
書誌ID 1001334966
ISBN 9789812778819
NCID BA86525894
巻冊次 ISBN:9789812778819
登録日 2009.09.18
更新日 2009.09.18