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＜図書＞
ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価
ハレクシス CBEDホウ オ モチイタ テツ シリサイド ハンドウタイ ハクマク ノ ケッショウセイ ヒョウカ
| 責任表示 | 研究代表者 板倉賢 |
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| シリーズ | 日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B) ; 平成16年度～18年度 |
| データ種別 | 図書 |
| 出版情報 | [福岡] : [九州大学] , 2007.3 |
| 本文言語 | 日本語,英語 |
| 大きさ | 64p ; 30cm |
所蔵情報
| 状態 | 巻次 | 所蔵場所 | 請求記号 | 刷年 | 文庫名称 | 資料番号 | コメント | 予約・取寄 | 複写申込 | 自動書庫 |
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中央図 自動書庫 | 科研報告/九州大学/16360315 | 2007 |
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003112007508162 |
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書誌詳細
| 別書名 | 異なりアクセスタイトル:平成16年度～18年度日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B) |
|---|---|
| 一般注記 | 課題番号: 16360315 |
| 著者標目 | 板倉, 賢 <イタクラ, マサル> |
| 書誌ID | 1001327717 |
| NCID | BA82165593 |
| 登録日 | 2009.09.18 |
| 更新日 | 2011.10.07 |