省電力LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の自己整合プロセス開発

＜図書＞
省電力LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の自己整合プロセス開発
ショウデンリョク LSIヨウコウユウデンリツゲートゼツエンマクノジコセイゴウプロセスカイハツ

責任表示	研究代表者中島寛
シリーズ	科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書 ; 平成16年度-平成17年度
データ種別	図書
出版情報	[福岡] : [九州大学] , 2006.3
本文言語	日本語,英語
大きさ	60p ; 30cm

状態	巻次	所蔵場所	請求記号	刷年	文庫名称	資料番号	コメント	予約・取寄	複写申込	自動書庫
		中央図自動書庫	科研報告/九州大学/16360156	2006		003112006506635		予約・取寄		出庫可能	予約・取寄		出庫可能