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<図書>
Molecular beam epitaxy : fundamentals and current status

責任表示 M.A. Herman, H. Sitter
シリーズ Springer series in materials science ; v. 7
データ種別 図書
2nd, rev. and updated ed
出版情報 Berlin : Springer , 1996
本文言語 英語
大きさ xiv, 453 p. ; 24 cm
概要 Molecular Beam Epitaxy describes a technique in wide-spread use for the production of high-quality semiconductor devices. It discusses the most important aspects of the MBE apparatus, the physics and...chemistry of the crystallization of various materials and device structures, and the characterization methods that relate the structural parameters of the grown (or growing) film or structure to the technologically relevant procedure. In this second edition two new fields have been added: crystallization of as-grown low-dimensional heterostructures, mainly quantum wires and quantum dots, and in-growth control of the MBE crystallization process of strained-layer structures. Out-of-date material has been removed. 続きを見る

所蔵情報



理系図 自動書庫 427.57 1996
025211996005995

書誌詳細

一般注記 Includes bibliographical references and index
著者標目 *Herman, Marian A.
Sitter, Helmut
件 名 LCSH:Molecular beam epitaxy
分 類 LCC:QC611.6.M64
DC20:621.3815/2
書誌ID 1001166061
ISBN 3540605940
NCID BA28724306
巻冊次 ISBN:3540605940
登録日 2009.09.17
更新日 2009.09.17

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