次世代磁気記録デバイスと極微信号処理方式の基本技術の開発

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次世代磁気記録デバイスと極微信号処理方式の基本技術の開発

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
タイトル(他言語):
DEVELOPMENTS OF NEXT GENERATION MAGNETIC STORAGE DEIVICES AND SIGNAL PROCESSING
責任表示:
谷口 研二(久留米工業大学・電子情報工学科・教授)
TANIGUCHI Kenji(久留米工業大学・電子情報工学科・教授)
黒木 幸令(九州大学・大学院・システム情報科学研究科・教授)

KUROKI Yukinori(九州大学・大学院・システム情報科学研究科・教授)

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本文言語:
日本語
研究期間:
1998-1999
概要(最新報告):
本研究では、磁気ヘッド再生出力の向上のための新しいヘッド構造の探索、これを実現するためのデバイス作製プロセス技術の開発と、微弱で符号間干渉のある再生信号から記録されたデータ系列を再生するための信号処理技術の開発、集積回路化に取り組み、(a)量子効果形超高感度マイクロ磁電変換デバイス技術の開発、(b)同デバイスの作製プロセスの最適化、(c)アナログディジタル信号処理回路/システムの最適構成、VLSI設計技術と開発、(d)VLSI用トタンジスタのモデリングといった次世代超高密度磁気記録システムのの基本技術の確立を達成することを目的とした。その結果、以下の結果が得られた。(a)静磁バイアス型GMRヘッドの開発を行い、非磁性層厚を適正化したGMR膜に永久磁石膜を対面積層した新しいGMRヘッド構造を提案した。また、永久磁石膜パタンとして高保磁力、高飽和磁化の特長を有するCoPt合金薄膜を用い、その成膜条件を最適化することにより、サブミクロン細線パタンにおいてもGMR膜へのバイアス印加が可能であることを確認した。巨大磁気抵抗(GMR)特性の最適化を行うことにより、実用上充分な20%程度の磁気抵抗比を実現した。(b)極微GMR細線形成法について検討した結果、最小線幅0.2ミクロンまでの磁性多層細線の作製プロセスを確立した。(c)アナログディジタル信号処理回路としてPLLとビタビ複号回路を検討し集積回路化した。動作周波数600MHzのPLLを実現でき、面積で従来比50%のビタビ複合回路を集積回路化した。(d)0.6μm〜6μmチャネル長の高耐圧MOSFETモデルであるLDMOSでは、JFET/MOSFET縦列接続モデルでなくとも、従来のMOSFETの経験則モデルの電界緩和、短チャネル効果を表すモデル・パラメータを適当に与えることにより、かなり正確にI-V特性を表現できることが分った。 続きを見る
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