多層・多導体線路系における高周波電磁結合を利用したマイクロ波デバイスの理論

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多層・多導体線路系における高周波電磁結合を利用したマイクロ波デバイスの理論

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
タイトル(他言語):
MODELING OF MICROWAVE DEVICES USING HIGH-FREQUENCY ELECRTOMAGNETIC COUPLINGS IN MULTILAYERED AND MULTICONDUCTOR TRANSMISSION LINES
責任表示:
安元 清俊(九州大学・大学院・システム情報科学研究科・教授)
YASUMOTO Kiyotoshi(九州大学・大学院・システム情報科学研究科・教授)
本文言語:
日本語
研究期間:
1997-1999
概要(最新報告):
多層・多導体線路系に対するFull-Wave結合モード理論を用いたマイクロ波デバイスの理論的なモデリングを行い、結合マイクロストリップ線路、結合マイクロストリップ共振器、結合異方性マイクロストリップ線路について、以下の成果及び知見を得た。 1.結合モード理論を基にして線路間の高周波電磁結合を考慮に入れた新しい線路方程式を導出し、結合線路のモード電圧、モード電流、モード特性インピーダンスと結合係数の関係を明らかにた。その結果、複数のボートから構成される結合マイクロストリップ線路系の回路パラメータを電磁結合係数を使って評価することが可能になった。共通の基板の上に配置した対称結合2マイクロストリップ線路、非対称結合2マイクロストリップ線路、及び非対称結合3マイクロストリップ線路、2層の基板の上に配置した非対称結合2マイクロストリップ線路などの回路パラメータを算出し、その結果と直接的な数値解法による結果との誤差が最悪の場合でも7%程度であることを示した。 2.誘導体基板の上に配置した複数のマイクロストリップ共振器の結合問題を時間域で解析する結合モード理論を定式化した。その結果を適正して、結合2マイクロストリップ共振器の解析を行い、2つのマイクロストリップの間隔と配列の方向による共振周波数の変動特性を明らかにした。 3.磁化フェライトを基板に持つ異方性の多層多導体線路系に対する結合モード理論を定式化した。得られた結合モード方程式は、基板が等方性誘電体と全く同じ形をしており、様々な応用が期待できる。基本的な応用として、磁化フェライトを基板とする結合2マイクロストリップ線路の結合モードの伝搬特性を解析し、前進波と後進波に対する非相反性を明らかにした。 続きを見る
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