プラズマCVD法による銅薄膜の選択形成に関する研究

閲覧数: 7
ダウンロード数: 0
このエントリーをはてなブックマークに追加

プラズマCVD法による銅薄膜の選択形成に関する研究

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
責任表示:
白谷 正治(九州大学・工学部・助教授)
本文言語:
日本語
研究期間:
1995
概要(最新報告):
本研究では,高品質銅薄膜形成法の開発を目的として,プラズマCVD法による銅薄膜形成を調べ,以下のような結果を得た. (1)有機金属材料のH_2希釈率を70から88%以上に増加すると膜質が良くなり,膜中の銅濃度とグレインサイズが各々70から99%以上,10から100nm以上になり,これに伴い抵抗率も9から2μΩcmへと低下する. (2)高品質膜が得られるH_2希釈率が高い場合にはプラズマ中のH原子の発光が強く,Hが膜の不純物除去に重要であることが示唆された. (3)光吸収法により測定したプラズマ中の銅原子の密度は10^9cm^<-3>程度であり,得られた成膜速度5nm/minを説明するのに必要な密度より2桁低い. (4)質量分析器を用いて有機金属材料Cu(hfa)_2の解離イオン化断面積の予備的な結果を得た. 続きを見る
本文を見る

類似資料:

2
LSI内微細銅配線のためのプラズマ異方性CVD by 白谷 正治; SHIRATANI Masaharu
5
MOCVD法による金属薄膜の合成と反応解析 by 秋山 秦伸; 秋山 泰伸
11
指数関数演算回路における性能/面積間のトレードオフに関する評価 by 波多江, 秀典; Hatae, Hidenori; 橋本, 浩二; Hashimoto, Koji; 村上, 和彰; Murakami, Kazuaki
2.
LSI内微細銅配線のためのプラズマ異方性CVD by 白谷 正治; SHIRATANI Masaharu
3.
ナノ構造の新作製法としてのプラズマ異方性CVD by 白谷 正治; SHIRATANI Masaharu
5.
MOCVD法による金属薄膜の合成と反応解析 by 秋山 秦伸; 秋山 泰伸
11.
指数関数演算回路における性能/面積間のトレードオフに関する評価 by 波多江, 秀典; Hatae, Hidenori; 橋本, 浩二; Hashimoto, Koji; 村上, 和彰; Murakami, Kazuaki