表面構造を化学的に制御した基板を用いるダイヤモンドヘテロエピタキシ-の実現

閲覧数: 5
ダウンロード数: 0
このエントリーをはてなブックマークに追加

表面構造を化学的に制御した基板を用いるダイヤモンドヘテロエピタキシ-の実現

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
タイトル(他言語):
Epitaxial Growth of Diamond on Chemically Modified Surface of Foreign Substrates
責任表示:
諸岡 成治(九州大学・工学部・教授)
MOROOKA Shigeharu(九州大学・工学部・教授)
本文言語:
日本語
研究期間:
1993-1994
概要(最新報告):
ダイヤモンドを基板とする半導体の実用化には、表面が平滑なダイヤモンドの単結晶薄膜を得ることが重要であり、異種基板上でのダイヤモンドの配向性制御技術の確立が必須である。そのためには、ダイヤモンドの核発生機構、成長機構の十分な理解が必要である。本研究では、ダイヤモンドの炭素源としてメタンを用い、水素を混合して反応物質とし、マイクロ波プラズマによって励起し、シリコン基板の上にダイヤモンド膜を析出させた。この方法で得られた膜は多結晶膜であった。一方、立方晶窒化ホウ素は結晶がダイヤモンド構造で、格子定数もダイヤモンドと同じである。立方晶窒化ホウ素の単結晶を基板として用いたところ、数100μmの厚さのダイヤモンド単結晶膜が得られた。このように、立方晶窒化ホウ素はダイヤモンド単結晶膜の基板として有効であるが、それ自体の単結晶膜化が困難であった。そこで、ホウ化物を中心とした多種の物質により前処理を行い、シリコン基板上の核発生密度の向上を図った。また、配向したダイヤモンド粒子は、隣り合った配向粒子同士が合体して成長するため、非配向の粒子よりも優勢に成長する。本研究では、この性質を利用し、成長過程を制御することにより、非配向粒子を配向粒子に取り込み、ダイヤモンド膜を単結晶化させることに成功した。 続きを見る
本文を見る

類似資料:

7
高機能性ダイヤモンドの開発並びに特殊環境マイクロ反応システムの構築 by 今任 稔彦; IMATO Toshihiko; 諸岡 成治; MOROOKA Shigeharu
7.
高機能性ダイヤモンドの開発並びに特殊環境マイクロ反応システムの構築 by 今任 稔彦; IMATO Toshihiko; 諸岡 成治; MOROOKA Shigeharu