電子デバイス用高温超伝導体薄膜の電磁時性評価に関する研究

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電子デバイス用高温超伝導体薄膜の電磁時性評価に関する研究

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
責任表示:
吉田 啓二(九州大学・工学部・助教授)
本文言語:
日本語
研究期間:
1991
概要(最新報告):
本研究は、高温超伝導体を用いた信号線,磁気シ-ルド,磁気・光センサ,三端子素子等の電子デバイスの実用化の際に重要な物性量である薄膜の臨界電流密度,高周波インピ-ダンス,磁束ノイズ等の決定要因を解明し、その特性向上のための方法を開発することを目的とする。これ迄,スパッタリング法によりYBaCuO薄膜の作製技術を確立し,これを用いて磁束クリ-プや磁束ノイズ等の電磁特性の評価法を開発した.本年度は,超伝導薄膜線路のカイネティックインダクタンスL_kを測定することにより,磁場侵入長λを評価する方法について検討を行った。更に,この方法を用いてλの不純物効果,薄膜の臨界電流密度ついて研究を行った。即ち,1.λの測定および結果 λの温度依存性をBCS理論と比較し,これにより温度OKにおける値λ(O)を決定した。これを,試料の比抵抗,臨界温度と比較することにより,不純物効果が生じていることを明らかにした。 2.臨界電流密度の測定および結果 薄膜ストリップにバイアス電流をかけながらλの測定を行い,マイスナ-電流とピンニング電流の分離をする方法を開発した。この方法により,YBaCuO薄膜のマイスナ-電流密度1.5×10^7 A/cm^2,ピンニング電流密度1.7×10^8 A/cm^2を得た。 続きを見る
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