DonorーAcceptor結合系を用いる光スイッチング素子の開発

閲覧数: 4
ダウンロード数: 0
このエントリーをはてなブックマークに追加

DonorーAcceptor結合系を用いる光スイッチング素子の開発

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
タイトル(他言語):
Development of Optical Switching Elements by the Use of Donor-Acceptor Linked Compounds
責任表示:
松尾 拓(九州大学・工学部・教授)
MATSUO Taku(九州大学・工学部・教授)
本文言語:
日本語
研究期間:
1990-1991
概要(最新報告):
二次元画像の伝送と処理にあたっては、一筆書きの一次元情報では早晩限界に達する事が予想される。光を用いる二次元情報処理は問題解決の有力な手段であるが、それには超高速の光スイッチング素子を開発する事が必要である。本研究では電子供与体(D)と電子受容体(A)間の光による電子移動に伴う吸収あるいは発光を一つのスイッチングとして捉え、これをもって光を光で制御する手段を開発する事を目標にした。2。DからAへの光誘起電子移動に伴ってラジカル対が生成すると、ラジカル特有の吸収帯が過渡的に出現する。本研究ではAとしてビオロ-ゲン、Dにはポルフィリン亜鉛錯体あるいはフェノチアジン骨格を用いて、レ-ザ-による光誘起電子移動で生成するラジカル対の性質を過渡吸収スペクトルから調べた。DとAの距離が1.5nm程度以内であれば容易に電子移動が起こり、マイクロ秒領域の寿命を持つ。0.3T以上の磁場を印加すれば寿命はさらに延び、10マイクロ秒に達する事も可能で、光によるスイッチングを外部から磁場で操作できる事を明らかにした。また、フェノチアジンービオローゲン結合系の場合、シクロデキストリンとの錯形成がDとAの接触を防ぎ、光によるラジカル対の出現を容易にする事も分かった。 トリスビピリヂンのルテニウム錯体は中心金属から配位子へのMLCT遷移が起こる事で有名である。この錯体をLB膜に配列させてYAGレ-ザ-の基本波(1.06u)を照射すると532nmの第二高調波(SHG)が得られた。この膜に紫外線を同時に照射すると、SHG強度は激減した。紫外線により電子移動が誘起されたために、SHGに必要な基底状態分子が減少した事に基ずくものである。SHGを別の光で制御すると言う画期的現象を見出せた事になる。 続きを見る
本文を見る

類似資料: