赤外ダイオ-ドレ-ザ-吸収法による表面反応生成短寿命種の検出と計測

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赤外ダイオ-ドレ-ザ-吸収法による表面反応生成短寿命種の検出と計測

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
責任表示:
田中 武彦(九州大学・理学部・教授)
本文言語:
日本語
研究期間:
1989
概要(最新報告):
反応性プラズマを制御するためには、プラズマ中に生成するラジカルを含む様々な分子種の計測法の開発が重要である。本研究は赤外半導体レ-ザ-吸収法を応用する、高感度、高選択性かつ汎用性があり、非発光性分子種に適した検出計測法の開発をめざすものである。Siウェハ-をプラズマエッチングする系中に存在するラジカルの検出を具体的目標とした。ステンレス製真空容器中に設置した平行平板電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、現有のダイオ-ドレ-ザ-分光装置と組合せて測定を試みた。ダイオ-ドレ-ザ-から赤外光は、多重反射光学系によってプラズマ内を16往復させ、約4m有効光路長を得ることができた。高周波電力の洩れによるダイオ-ドレ-ザ-の発振波数への著しい影響が問題となったが、アルミ板で発振器周辺をシ-ルドし、接続に光ファイバ-を使用することによって解決できた。高い検出感度を得るため、(1)高周波を100%振幅変調する方法、(2)無変調の高周波に数kHzのACを重畳する方法、(3)ACのみ電極に供給する方法、の三種類の放電変調方式を試みた。フォトトランジスタを用いて、放電による発光をモニタ-したところ同期して発光が明滅するのが観察され、有効な変調が実現しているものと判断された。SiF_4純ガスを試料として、三種の変調法によって観測したところ、いずれによってもSi_2F_6のシグナルが観測できた。同様の条件で、SiF及びSiF^+の既知のシグナルを検出することを試みたが、現在のところ成功していない。 続きを見る
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類似資料:

11
Infrared Diode Laser Spectroscopy of Transient Molecules by 住吉, 吉英; Sumiyoshi, Yoshihiro
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