ブロッホラインメモリの実用化研究

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ブロッホラインメモリの実用化研究

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
タイトル(他言語):
Studies on Bloch Line Memory for Practical Use
責任表示:
松山 公秀(九州大学・工学部・助教授)
MATSUYAMA Kimihide(九州大学・工学部・助教授)
小西 進(九州大学・工学部・教授)
本文言語:
日本語
研究期間:
1987-1989
概要(最新報告):
超高密度の新しい固体磁性記憶素子(ブロッホラインメモリ)の実用化を目指し、まず、10Mbit/cm^2素子用磁性ガ-ネット膜(磁区幅5μm)を用い、ブロッホラインメモリの実現に必須である以下の諸機能を試作チップにより検証した。1.熱燐酸エッチングにより磁性ガ-ネット膜表面に形成した溝パタンにより多数本のストライプ磁区を平行に配列し、約1mm^2のメモリ領域を形成した。2.コンピュ-タ制御による動作特性自動評価システムを作製し、多数本のストライプ磁区へのブロッホライン(VBL)の同時書き込み、同時読みだし動作を確認した。3.Cr膜パタンエッジ部の局所応力によって生じる周期的歪誘導磁気異方性のビット位置規定効果を数値計算により明らかにした。この結果をもとに、ビットパタンとしての形状、膜厚等を適正化したチップを設計し、ビット転送動作を検証した。4.高保磁力CoPt パタンと蛇行導体パタンから成る目合わせ余裕度の大きいバブル転送路を考案した。同転迷路を備えたゲ-ト部を形成し、VBLからバブル磁区への情報担体の変換、バブル磁区転送、バブル地区拡大といった一連のゲ-ト機能を連続的に動作させることに成功した。 次に、高密度化への次のステップとして、40Mbit素子用磁性ガ-ネット膜(磁区幅2μm)において、実用的な動作余裕度を有するゲ-ト部を開発した。また、磁化の運動方程式を数値的に解くことにより磁壁合体過程の詳細を明らかにし、読みだし動作エラ-が磁壁構造の動的変化(水平ブロッホラインの発生)によるものであることを見い出し、これを抑制するための動作条件を明らかにした。さらに、磁壁運動方程式における等価磁壁圧力項のより精密な定式化を行い、100Mbit/cm^2以上のブロッホラインメモリに用いられる特性因子の小さな材料(Q=2.8)においてもシミュレ-ション結果が理論値とよく一致することを確認した。 続きを見る
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