半導体新素材の発がん性に関する研究

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半導体新素材の発がん性に関する研究

フォーマット:
助成・補助金
Kyushu Univ. Production 九州大学成果文献
タイトル(他言語):
Comparative study on the tumorigenicity of gallium arsenide,gallium phosphide and gallium oxide in hamsters following intratracheal instillation or in mice following intraperitoneal and subcutaneous injection.
責任表示:
久永 明(九州大学・医学部・講師)
HISANAGA Akira(九州大学・医学部・講師)
本文言語:
日本語
研究期間:
1986-1988
概要(最新報告):
半導体新素材の発がん性を検索するためにハムスターおよびマウスを用いた気管内投与、皮下投与および腹腔内投与実験を行った。 1)ガリウムヒ素(GaAs)の気管内投与実験:GaAsおよび三酸化ヒ素(As_2O_3)を1回投与量0.25mgAs/匹を週1回、15週にわたってハムスターの気管内に投与し、その後は無処置で放置し、約2年間催腫瘍性の有無について観察した。その結果、GaAs群およびAs_2O_3群では肺を含む呼吸器官において腫瘍の発生は認められず、催腫瘍性は確認できなかった。しかし、GaAs群では対照群に比べて肺に対する障害が強く、生存率の有意な低下が認められた。 2)ガリウムヒ素およびガリウムリン(GaP)のマウスでの皮下投与および腹腔内投与実験:マウスの皮下および腹腔内にGaAs、GaPおよび酸化ガリウム(Ga_2O_3)をGa量として各々48mg/kg、480mg/kgを1回投与し、18カ月間観察した。その結果皮下投与実験では各投与部位に腫瘍の発生を認められなかったが、腹腔内投与実験ではGa_2O_3(480mgGa/kg)群で対照群に比べ総腫瘍発生率について有意な差が認められたが、Ga_2O_3自体の発がん作用によるものかは確認できなかった。また、GaAs(480mgGa/kg)群およびGa_2O_3(48mgGa/kg)群と対照群との間で生存率につい有意な差が認められ、GaAsおよびGa_2O_3の全身性の障害が示唆された。 3)インジウムヒ素(InAs)およびインジウムリン(InP)投与ハムスター肺組織の形態学的検討:InAsおよびInPをハムスターの気管内へ投与し、光顕およぴ走査電顕(SEM)により肺の形態学的変化について観察した。光顕による観察では肺胞上皮細胞の広範な増生が観察され。一部では多層化し、腺様の増生像を呈した。SEMによる観察では肺胞腔内へのInAs、InPの沈着、肺胞マクロファージの集積、肺胞中隔の肥厚が認められ、障害の程度は細気管支よりも肺胞領域で重篤であった。 続きを見る
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