Completely Planarized W Plugs using MnO2 CMP - 九大コレクション

＜会議発表論文＞
Completely Planarized W Plugs using MnO2 CMP

作成者	作成者名 Kishii, Sadahiro 岸井, 貞浩キシイ, サダヒロ所属機関所属機関名 Fujitsu Laboratories Limited 富士通研究所
	作成者名 Suzuki, Rintaro 鈴木, 隣太郎スズキ, リンタロウ所属機関所属機関名 Fujitsu Laboratories Limited 富士通研究所
	作成者名 Ohishi, Akiyoshi 大石, 明良オオイシ, アキヨシ所属機関所属機関名 Fujitsu Laboratories Limited 富士通研究所
	作成者名 Arimoto, Yoshihiro 有本, 由弘アリモト, ヨシヒロ所属機関所属機関名 Fujitsu Laboratories Limited 富士通研究所
本文言語	英語
出版者	IEEE
出版者	Institute of Electrical and Electronics Engineers
発行日	1995-12
収録物名	Technical Digest : the International Electron Devices Meeting
開始ページ	465
終了ページ	468
出版タイプ	Accepted Manuscript
アクセス権	open access
権利関係	(c) IEEE.
関連DOI	以下と同一 https://doi.org/10.1109/IEDM.1995.499239
関連DOI	Technical Digest : the International Electron Devices Meeting \|\| 1995 \|\| p465-468
関連URI	Technical Digest : the International Electron Devices Meeting \|\| 1995 \|\| p465-468
関連URI
関連HDL
関連情報	Technical Digest : the International Electron Devices Meeting \|\| 1995 \|\| p465-468
概要	In tungsten (W) polishing, MnO2 has been used as an abrasive to form plugs without etching holes in seams during CMP. We found that MnO2 polishes 1.5 times faster than the standard Al2O3 abrasive, and... can be completely removed during the cleaning process続きを見る

本文ファイル

ファイル	ファイルタイプ	サイズ	閲覧回数	説明
001	pdf	219 KB	420

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レコードID	21660
査読有無	査読無
ISSN	0163-1918
注記	Electron Devices Meeting, 1995., International : December 10-13, 1995 : Washington, D.C., United States
登録日	2012.04.05
更新日	2024.01.10

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