<紀要論文>
Si(111) 7×7 表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察

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概要 Small Si islands and atomic steps on Si (111) $7\times 7$ have been observed by scanning tunneling microscopy (STM). At edges of both structures, we observed characteristic elliptic double protrusions... in STM images. We have proposed atomic structure models of the islands and steps. Partial collapse of the islands observed during STM observation is well explained by the proposed model. It is concluded that the double protrusions are caused by the distortion of the $3\times 3$ half unit cell (HUC) of the dimeradatom-stacking fault structure, which connects to only one neighboring $3\times 3$ HUC.続きを見る

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登録日 2010.03.09
更新日 2020.11.17

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