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＜図書＞
Impurity diffusion in silicon based on the pair diffusion model and decrease in quasi-vacancy formation energy. part two : arsenic (Japanese Journal of Applied Physics, vol.35 part 1 no.1A
| 責任表示 | Masayuki Yoshida |
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| データ種別 | 図書 |
| 出版者 | 東京 : 応用物理学会欧文誌刊行会 |
| 出版年 | 1996 |
| 本文言語 | 英語 |
所蔵情報
| 状態 | 巻次 | 所蔵場所 | 請求記号 | 刷年 | 文庫名称 | 資料番号 | コメント | 予約・取寄 | 複写申込 | 自動書庫 |
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芸工図 3F 閲覧室 | 教員寄贈著作物 | AAA611/吉田正幸/61 | 1996 |
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072031294011170 |
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書誌詳細
| 著者標目 | 吉田, 正幸 <ヨシダ, マサユキ> |
|---|---|
| 書誌ID | 1000007133 |
| NCID | LB21869878 |
| 登録日 | 1996.02.28 |
| 更新日 | 2007.07.17 |