Effect of stress in the deposited silicon nitride film on boron diffusion (Proceedings of the third international symposium on process physics and modeling semiconductor technology)

＜図書＞
Effect of stress in the deposited silicon nitride film on boron diffusion (Proceedings of the third international symposium on process physics and modeling semiconductor technology)

責任表示	Masayuki Yoshida
データ種別	図書
出版者	Pennington : Electrochemical Society
出版年	1993
本文言語	英語

状態	巻次	所蔵場所	請求記号	刷年	文庫名称	資料番号	コメント	予約・取寄	複写申込	自動書庫
		芸工図 3F 閲覧室 \| 教員寄贈著作物	AAA611/ヨシダマ/55	1993		072031292010810		予約・取寄			予約・取寄